GaN氮化鎵功率半導體元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)

功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵(GaN)支持大電壓和高切換速度,面對高壓、高流的測試要求,面對這種量測困難,我們獨家提供「元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)」,有別於市面上只能量測靜態特性或無法在元件操作狀態下執行動態分析的功率半導體參數分析儀、功率元件分析儀,我們的元件動態參數分析儀能有效解決在元件操作(switching)狀態下執行氮化鎵(GaN)動態參數分析的困難。

氮化鎵GaN元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)產品特色

■ 可以在hard-switching 或 soft-switching下執行動態量測
■ Dynamic Rdson(HSW, ZVS), Dynamic Rsdon(ZVS), Dynamic Vth, Dynamic Vsd, Dynamic HTOL (SALT)…
■ 提供On-Vg : 0-12V連續變化,可隨著不同DUT Gate Rating做適當調整
■ 提供10kHz~500kHz 可調操作頻率
■ 提供10%~90% 可調操作Duty
■ Pulse I-V 脈衝寬度可達到1us
■ 高低溫測試功能 (25C~175C)

我們的氮化鎵 (GaN) 元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)擁有三項專利:

1.     在hard-switching 或 soft-switching下執行動態分析(Dynamics under hard switching or soft switching)
➢    Trapping induced Rdson increasing during switching
➢    Hard switching worse than Soft switching (ZVS)
➢    Switching Voltage dependent
2.     Gate 操作電壓0-12V連續變化,可以隨著不同DUT Gate Rating做適當調整(Switching On-Vg : 1V~12V for device benchmark)
3.     在hard-switching 或 soft-switching下執行動態Vth分析(Dynamic Vth under hard switching or soft switching)

* 延伸閱讀:如何在功率半導體/寬能隙半導體材料-氮化鎵(GaN)操作(switching)狀態下執行動態測試?

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