氮化鎵功率半導體元件動態參數分析儀(GaN Device Dynamics Analyzer)

DDA8010 GaN氮化鎵元件動態參數分析儀

憑藉著優異的材料特性 (high Band gap & high Mobility)， GaN功率元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si 的成本優勢把GaN變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求。GaN-on-Si 的材料缺陷使得用於Si的靜態量測與可靠度評估已不足以代表GaN在真實系統中的動態表現。動態量測與動態可靠度分析可幫助元件開發者改善元件，可幫助元件使用者正確評估元件的功率損耗及老化速率，因此動態量測與動態可靠度分析成了GaN邁向廣泛應用的最後一哩路。

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DDA8010 GaN氮化鎵元件動態參數分析儀

完整解決方案：
如何在元件操作(switching)狀態下執行功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵 (GaN)分析？

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主要特點

DDA8010元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)

推薦使用元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)，可解決在元件操作(switching)狀態下執行氮化鎵 (GaN) 動態參數分析的困難，提供晶圓和封裝元件動態參數及可靠度測試。

DDA8010主要技術規格

- 可以在hard-switching 或 soft-switching下執行動態量測
- 提供On-Vg : -12-12V連續變化，可隨著不同DUT Gate Rating做適當調整
- 提供10kHz~500kHz 可調操作頻率
- 提供10%~90% 可調操作Duty
- Pulse I-V 脈衝寬度可達到1us
- 高低溫測試功能 (25C~175C)
- Dynamic Rdson(HSW, ZVS), Dynamic Rsdon(ZVS), Dynamic Vth, Dynamic Vsd, Dynamic HTOL (SALT)…

* 延伸閱讀：如何在功率半導體/寬能隙半導體材料-氮化鎵(GaN)操作(switching)狀態下執行動態測試？
* 延伸閱讀：GaN技術論壇線上研討會完整影音檔

主要規格

功率半導體/寬能隙半導體材料氮化鎵(GaN)支持大電壓和高切換速度，面對高壓、高流的測試要求，我們獨家代理販售「元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)」，有別於市面上只能量測靜態特性或無法在元件操作狀態下執行動態分析的功率半導體參數分析儀、功率元件分析儀，我們的元件動態參數分析儀能有效解決在元件操作(switching)狀態下執行氮化鎵(GaN)動態參數分析的困難，可幫助元件開發者改善元件，亦可幫助元件使用者正確評估元件的功率損耗及老化速率，因此動態量測與動態可靠度分析成了GaN邁向廣泛應用的最後一哩路。

DDA8010氮化鎵 (GaN) 元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)擁有三項專利：

1. 在hard-switching 或 soft-switching下執行動態分析(Dynamics under hard switching or soft switching)

➢    Trapping induced Rdson increasing during switching
➢    Hard switching worse than Soft switching (ZVS)
➢    Switching Voltage dependent

2. Gate 操作電壓-12-12V連續變化，可以隨著不同DUT Gate Rating做適當調整

(Switching On-Vg : -12V~12V for device benchmark)

3. 在hard-switching 或 soft-switching下執行動態Vth分析

(Dynamic Vth under hard switching or soft switching)

除了氮化鎵 (GaN) 元件動態參數分析儀(Device Dynamics Analyzer)之外，我們也將推出元件動態可靠度分析儀(Device Dynamic Reliability Analyzer)可以同時測試多個GaN元件的動態特性，顛覆傳統的單顆GaN DUT動態參數分析，進而達到同時多個GaN元件在操作(swtiching)下的動態量測的效果。