［實體研討會］確保氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會

動態量測與動態可靠度分析可幫助元件開發者改善元件、正確評估元件的功率損耗及老化速率。本研討會特別邀請國立陽明交通大學吳添立教授前來分享，爾後將由宏汭精測林明正總經理針對寬能隙半導體-氮化鎵元件動態量測進行分享，加速第三代半導體GaN邁向廣泛應用。

2022.10.20 (四) 13:30 新竹老爺酒店(已圓滿結束)

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主辦單位: 品勛科技 & 是德科技(keysight)

親愛的客戶，您好：

　　憑藉著優異的材料特性，寬能隙半導體元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si 的成本優勢把氮化鎵元件變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求。GaN-on-Si 的材料缺陷使得用於氮化矽的靜態量測與可靠度評估已不足以代表氮化鎵元件在真實系統中的動態表現。
　　動態量測與動態可靠度分析可幫助元件開發者改善元件、正確評估元件的功率損耗及老化速率，本研討會特別邀請國立陽明交通大學吳添立教授前來分享高功率高頻GaN HEMT最新技術與挑戰，爾後將由宏汭精測林明正總經理針對氮化鎵元件動態量測進行解析，加速第三代半導體GaN邁向廣泛應用。

寬能隙半導體-氮化鎵-GaN-第三代半導體研討會

本研討會特別邀請國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理前來分享，歡迎踴躍報名！

活動時間與地點

2022 年 10 月 20 日 (四) 13:30~16:20
新竹老爺酒店4F宴會廳
新竹市東區光復路一段227號4F宴會廳

** 歡迎將本研討會分享給您的同事或朋友，經主辦方審核通過，推薦人與被推薦的新朋友皆可額外獲得桌面吸塵器 **

活動流程：

13:30~14:00 開場及報到
14:00~14:40 高功率高頻GaN HEMT最新技術與挑戰
* 講師: 國立陽明交通大學吳添立教授
14:40~14:50 小憩片刻/講師Q&A
14:50~15:20 如何在氮化鎵元件操作狀態下執行動態測試?
* 講師: 宏汭精測/品勛技術顧問林明正總經理
15:20~15:50 小憩片刻/攤位導覽
15:50~16:10 適用於功率元件的示波器量測方案
* 講師: 品勛科技技術部曾國鈞經理
16:10~16:20 問卷回填及幸運抽獎

活動介紹：

1. 高功率高頻GaN HEMT最新技術與挑戰 ( 講師: 國立陽明交通大學吳添立教授)

氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)因具有較高的臨界電壓及二維電子氣的特性，故極適合使用於高功率及高頻的應用。目前世界各國均積極研發氮化鎵半導體技術及開發相關產品，在此演講中將會介紹最新技術發展與挑戰。

2. 如何在氮化鎵元件操作狀態下執行動態測試? ( 講師: 宏汭精測科技林明正總經理)

Dynamic Rdson Vth Vsd是動態測試的三個重要關鍵參數，市面上現有的半導體參數分析儀提供了GaN元件在靜止狀態下的Rdson、Vth、Vsd測試需求，但要如何得知在實際操作狀態下的Rdson、Vth、Vsd呢？花了大把時間設計的GaN元件，若無法得知操作狀態下的動態參數，又要如何確保元件上系統後的效果呢？要加速GaN的商業化、量產化，首先要確保元件的穩定及可用性。

2. 適用於功率元件的示波器量測方案 ( 講師: 品勛科技曾國鈞技術經理)

相比傳統的IGBT，高壓Sic MOSFET等，SiC和GaN寬能隙高功率元件具有更快的開關速度，因此也需要更高的測試頻寬。Keyisght EXR系列示波器頻寬高達500 MHz至2.5 GHz，並有四個類比通道/八個類比通道的選擇，可分析電源供應器的輸入、輸出和切換裝置，並透過內建的波型產生器執行 PSRR 和控制迴路響應量測、頻率響應分析！搭配DP0001A高壓差動探棒能夠以400MHz的頻寬提供2KV的測試電壓範圍，良好的解決了寬能隙高功率元件帶來的測試挑戰。

報名方式：

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注意事項

- 請優先使用線上報名，若無法使用線上報名，可私訊或email至charlene@pinsyun.com.tw索取報名表。
- 主辦單位保留報名資格之審核權利，活動前將以電子郵件方式通知「報到編號」，以確認您的參加。
- 為因應新型冠狀病毒防疫措施，活動現場將採取相關體溫測量及消毒等措施，與會者請自行攜帶口罩參加並全程攜帶。
- 為響應環保，活動當天不提供紙本講義，僅以電子檔為主，講義將於活動前一周提供。
- 歡迎將本研討會分享給您的同事或朋友，經主辦方審核通過，推薦人與被推薦的新朋友皆可額外獲得桌面吸塵器！