確保GaN氮化鎵元件的穩定及可用性並加速GaN氮化鎵元件商業化的秘密武器
實現GaN氮化鎵元件商業化的首要條件即是要確保元件的穩定與可用性，為此我們提供三套解決方案-封裝半導體元件動態參數分析儀、晶圓半導體元件動態參數分析儀與動態可靠度分析儀
實現寬能隙半導體GaN氮化鎵元件商業化的首要條件
Dynamic Rdson, Vth & Vsd是動態測試的三個重要關鍵參數，市面上現有的半導體參數分析儀提供了GaN氮化鎵元件在靜態下的Rdson、Vth、Vsd測試需求，但要如何得知在實際操作狀態下的動態Rdson、Vth、Vsd呢？花了大把時間設計的GaN元件，若無法得知操作狀態下的動態參數，又要如何確保元件上系統後的效果呢？要加速GaN的商業化、量產化，首先要確保元件的穩定及可用性。
如何確保寬能隙半導體GaN氮化鎵元件的穩定與可用性？
針對此一挑戰，我們提供三套解決方案，不只可在操作狀態下測試Dynamic Rdson, Vth & Vsd之外，還自帶溫控系統，可直接在系統上用高溫加速老化，進而評估GaN元件在真實系統上的生命週期：
◆ 封裝用：DDA8010半導體元件動態參數分析儀
DDA8010半導體元件動態參數分析儀提供完整解決方案，包含量測設備、友善的軟體介面、溫控裝置，只要將封裝好的GaN氮化鎵元件直接放上探測平台，即可在系統上模擬實際操作狀態，進而測量操作狀態下的動態參數。
◆ 晶圓用：WPDDA6505晶圓探測動態分析儀
DDL結合 MPI 探針台實現 wafer-level GaN HV + HP 動態量測，能自動或手動定位晶圓，並且內建溫控系統，在不同溫度下實現更有效率的晶圓動態量測。
◆ 可靠度用：DDRA8010元件動態可靠度分析儀
DDRA8010元件動態可靠度分析儀可以同時測試多個氮化鎵元件的動態特性，並利用高溫加速老化評估GaN元件在真實系統上的生命週期，更能確保元件的穩定及可用性。
Dynamic Rdson、Dynamic Vth、Dynamic Vsd等動態參數實際測試影片！
我們提供完整的元件動態測試系統，除了封裝元件、wafer-level GaN HV+HP動態量測之外，更有動態可靠度分析儀，輕鬆實現封裝、晶圓甚至多顆元件在操作狀態下測試Dynamic Rdson、Dynamic Vth、Dynamic Vsd等動態參數，實際測試影片！
◆ DDA8010 Dynamic Rdson vedio
◆ DDA8010 Dynamic Vth vedio
◆ DDA8010 Dynamic Vsd vedio
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