[研討會講義] 確保寬能隙半導體-GaN氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會

主辦單位: 品勛科技 & 是德科技
 

1. 高功率高頻GaN HEMT最新技術與挑戰  ( 講師: 國立陽明交通大學 吳添立教授)

氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)因具有較高的臨界電壓及二維電子氣的特性，故極適合使用於高功率及高頻的應用。目前世界各國均積極研發氮化鎵半導體技術及開發相關產品，在此演講中將會介紹最新技術發展與挑戰。

2. 如何在氮化鎵元件操作狀態下執行動態測試?  ( 講師: 宏汭精測科技 林明正總經理)

Dynamic Rdson Vth Vsd是動態測試的三個重要關鍵參數，市面上現有的半導體參數分析儀提供了GaN元件在靜止狀態下的Rdson、Vth、Vsd測試需求，但要如何得知在實際操作狀態下的Rdson、Vth、Vsd呢？花了大把時間設計的GaN元件，若無法得知操作狀態下的動態參數，又要如何確保元件上系統後的效果呢？要加速GaN的商業化、量產化，首先要確保元件的穩定及可用性。

2. 適用於功率元件的示波器量測方案  ( 講師: 品勛科技 曾國鈞技術經理)

相比傳統的IGBT，高壓Sic MOSFET等，SiC和GaN寬能隙高功率元件具有更快的開關速度，因此也需要更高的測試頻寬。Keyisght EXR系列示波器頻寬高達500 MHz至2.5 GHz，並有四個類比通道/八個類比通道的選擇，可分析電源供應器的輸入、輸出和切換裝置，並透過內建的波型產生器執行 PSRR 和控制迴路響應量測、頻率響應分析！搭配DP0001A高壓差動探棒能夠以400MHz的頻寬提供2KV的測試電壓範圍，良好的解決了寬能隙高功率元件帶來的測試挑戰。